作為福建泉州主動引領經濟發展新常態，順應供給側結構性改革的務實舉措，12月26日，“泉州芯谷”南安園區三安高端半導體項目正式開工建設。
據了解，全面啟動的三安高端半導體項目，投資總額333億元(含公共配套設施投資)，是在國家集成電路產業投資基金和華芯投資管理公司的幫助支持下，落戶“泉州芯谷”南安園區的首個百億元龍頭項目。項目包括高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目，高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目，大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目等七大產業集群，預計全部項目五年內投產，七年內達產。
近年來，搶抓國家鼓勵和支持發展半導體產業的歷史機遇，按照省委、省政府的決策部署，市委、市政府提出規劃建設泉州半導體高新技術產業園區，形成“一區三園”的開發格局，全力引進龍頭企業，以兩個關鍵產業——存儲器制造和化合物半導體制造為支柱，以福建集成電路產業園區、南安高新技術產業園區、福建泉州(湖頭)光電產業園為平臺，培育設計、制造、封測、終端應用等全產業鏈，努力打造經濟新增長極。其中，南安園區是“泉州芯谷”的核心區，規劃面積約33平方公里，將以化合物半導體為重點發展方向，集聚產業鏈上下游企業，最終形成化合物半導體的全產業鏈體系。來源：中國儀表網
